【瑞晶電子資料來源轉貼自：2011/2/25電子】
PC勢力削弱、平板電腦風潮崛起，牽動記憶體產業風水輪流轉，台灣最後1家純標準型 DRAM廠也宣布走入歷史，爾必達(Elpida)社長?本幸雄24日表示，將正式在瑞晶導入Mobile RAM產品，預計5月試產，第3季正式量產，接棒爾必達廣島12吋晶圓廠的Mobile RAM產能在第3季可能會面臨大爆滿；隨著台灣2家純標準型DRAM廠定位的華亞科、瑞晶都轉型生產Mobile RAM，象徵記憶體產業勢必從PC應用出走的趨勢。
隨著PC勢力沒落，標準型DRAM勢力也跟著式微，南亞科、華亞科、力晶、茂德都陸續宣布不再獨守標準型DRAM生產，陸續宣布投入Mobile RAM、晶圓代工、NAND Flash、NOR Flash、LCD Driver IC等領域，其中在華亞科宣布不再鍾情於標準型DRAM後，台灣最後1家純標準型DRAM供應商瑞晶也宣布棄守。
?本幸雄表示，正式將Mobile RAM產品線轉移到瑞晶生產，計劃5月試產並送認證，第3季可進入量產，目前爾必達的Mobile RAM全數都在日本廣島廠生產，以目前平板電腦和智慧型手機熱絡的情況來看，預計廣島廠在第3季Mobile RAM產能滿載的機率很高，因此儘快讓瑞晶能在第3季銜接Mobile RAM產能。
以瑞晶目前12吋晶圓廠約8萬~8.5萬片產能來看，預計未來Mobile RAM產能目標可到1萬~2萬片，假如平板電腦和智慧型手機需求持續成長，不排除提升瑞晶Mobile RAM的投片量。
爾必達旗下廣島12吋晶圓廠產能約12萬~13萬片，其中Mobile RAM產能佔了9.5萬片，PC相關DRAM產能明顯大幅下降；以全球Mobile RAM市佔率來看，2010年爾必達的市佔率約40%，內部目標是希望2011年Mobile RAM市佔率可達50％。
?本幸雄指出，讓瑞晶生產Mobile RAM的另一個原因，也是大客戶希望爾必達能分散風險，目前Mobile RAM產能過度集中於單一廠房，如果日本發生地震等天災，恐會影響供貨狀況。
根據估計，2011年全球Mobile RAM的位元成長率可超過300%，PC用DRAM位元成長率則少於30%；在爾必達方面，預計2011年Mobile RAM的位元成長率可達400%，由於2011年重心不在PC用DRAM上，因此這部分成長率並不高。
在NAND Flash方面，由於目前其他3大陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)都有NAND Flash產品，爾必達長期在NAND Flash領域上缺席，也是外界詬病之處。
爾必達已宣布與飛索(Spansion)合作開發NAND Flash技術，?本幸雄指出，目前NAND Flash技術正在廣島廠上開發，量產尚無明確時程。
?本幸雄強調，NAND Flash應用主要在手機上，爾必達的優勢是Mobile RAM，也與手機應用息息相關，以目前爾必達的進度來看，已在Mobile RAM市場取得領先地位，先把Mobile RAM產品穩住，之後在全心切入NAND Flash市場，是較穩的策略，不像其他業者雖然NAND Flash和Mobile RAM都一起做，但都做不好。
外界質疑爾必達的台灣存託憑證(TDR)掛牌後，瑞晶掛牌與否的重要性就變為其次，對此，他沒有正面回應，僅表示瑞晶2010年已完成40奈米製程的轉換，2011年將全力轉進30奈米製程，從40奈米轉進30奈米製程需要約2億美元，瑞晶可以用自有資金來支應，即使掛牌的時間點延後，也不會影響瑞晶製程導入速度。
再者，?本幸雄對瑞晶的營運成果讚許有加，表示非常滿意瑞晶的營運表示，瑞晶的研發中心將專注於先進技術4F2的開發，目前業界的DRAM主流仍在6F2 技術架構上，估計從6F2技術轉進4F2技術，在相同製程下，生產成本可降低30%，目前瑞晶已成功研發65奈米製程4F2技術，未來將持續導入40奈米和30奈米製程。
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